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TA306 Abstract: CPH3413 Text: Ordering number : ENN6924 CPH3413 N-Channel Silicon MOSFET CPH3413 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2152A [CPH3413] 2.9 0.15 0.4 0.6 3 0.2 • 2 1	Original	PDF	ENN6924 CPH3413 CPH3413] TA306 CPH3413
CPH6602 Abstract: ta3452 IT02688 Text: 注文コード No. N 7 1 4 5 CPH6602 No. N7145 11502 新 CPH6602 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ超高速スイッチング用・低オン抵抗。・超高速スイッチング。・2.5V 駆動。・MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	PDF	CPH6602 N7145 900mm2 IT02694 IT02693 900mm2 IT04055 IT04056 CPH6602 ta3452 IT02688
77704 Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004 77705 77701 Text: CPH5808 注文コード No. N 7 7 7 0 三洋半導体データシート N CPH5808 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用特長・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ	Original	PDF	CPH5808 MCH3409) SBS004 600mm2 TA-100106 IT00624 IT00623 IT00622 77704 CPH5808 MCH3409 77705 77701
CPH6602 Abstract: No abstract text available Text: 注文コード No. N 7 1 4 5 CPH6602 三洋半導体データシート N CPH6602 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ超高速スイッチング用・低オン抵抗。・超高速スイッチング。・2.5V 駆動。	Original	PDF	CPH6602 900mm2 IT02694 IT02693 900mm2 IT04055 IT04056 CPH6602
CPH5839 Abstract: MCH3409 SBS005 MARKING X.R Text: CPH5839 Ordering number : ENN8181 CPH5839 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-Channel Sillicon MOSFET MCH3409 and a schottky barrier diode (SBS005)	Original	PDF	CPH5839 ENN8181 MCH3409) SBS005) CPH5839 MCH3409 SBS005 MARKING X.R
CPH5839 Abstract: MCH3409 SBS005 81812 Text: CPH5839 注文コード No. N 8 1 8 1 三洋半導体データシート N CPH5839 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	PDF	CPH5839 MCH3409) SBS005) 600mm2 11205PE TB-00001085 DS360° IT00629 CPH5839 MCH3409 SBS005 81812
CPH5808 Abstract: MCH3409 SBS004 77705 Text: CPH5808 Ordering number : ENN7770 CPH5808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3409 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained	Original	PDF	CPH5808 ENN7770 MCH3409) SBS004) CPH5808 MCH3409 SBS004 77705
CPH6602 Abstract: TA345 Text: Ordering number : ENN7145 CPH6602 N-Channel Silicon MOSFET CPH6602 Ultrahigh-Speed Switching Applications • • • Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2202 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	PDF	ENN7145 CPH6602 CPH6602] CPH6602 TA345
marking QJ Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004 Text: CPH5808 Ordering number : ENN7770 CPH5808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3409 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained	Original	PDF	CPH5808 ENN7770 MCH3409) SBS004) marking QJ CPH5808 MCH3409 SBS004