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    GEO06021

    Abstract: Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3 Q62702-P43-S4
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar Features


    Original     		PDF GEO06021 GEO06021 Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3 Q62702-P43-S4

    Q62703-Q395

    Abstract: GEO06021 OHRD1938 Q62703-Q67
    Text: 0.7 0.6 0 . 5 2.7 2.5 0.25 0.15 3.5 3.0 0.5 0.4 Chip position 1.9 1.7 2.4 2.1 LD 261 3.6 3.2 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.1 1.5 2.54 mm spacing A Radiant sensitive area 0.4 x 0.4 1.4 1.0 Collector (BPX 81) Cathode (LD 261) 1) Detaching area for tools, flash not true to size.


    Original     		PDF GEO06021 feo06021 epi20 OHR02182 OHR01878 Q62703-Q395 GEO06021 OHRD1938 Q62703-Q67

    GEO06021

    Abstract: OHRD1938 Q62703-Q395 Q62703-Q67
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 81 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability


    Original     		PDF OHR01878 GEO06021 GEO06021 OHRD1938 Q62703-Q395 Q62703-Q67