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Untitled Abstract: No abstract text available Text: Single P-channel MOSFET ELM36403EA-S •General description ■Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-30V Id=-5A Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V)	Original	PDF	ELM36403EA-S ELM36403EA-S P5103EAG May-18-2006
ELM36403EA Abstract: No abstract text available Text: 单 P 沟道 MOSFET ELM36403EA-S •概要 ■特点 ELM36403EA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-30V ·Id=-5A ·Rds on < 51mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值	Original	PDF	ELM36403EA-S May-18-2006 P5103EAG ELM36403EA
Untitled Abstract: No abstract text available Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM36403EA-S •概要 ■特長 ELM36403EA-S は低入力容量低電圧駆動、低・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。・ Id=-5A ・ Rds on < 51mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V)	Original	PDF	ELM36403EA-S P5103EAG May-18-2006
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Single P-channel MOSFET ELM36403EA-S •General description ■Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-30V Id=-5A Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V)	Original	PDF	ELM36403EA-S ELM36403EA-S P5103EAG May-18-2006