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Untitled Abstract: No abstract text available Text: Complementary MOSFET ELM34604AA-N •General Description ■Features ELM34604AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V)	Original	PDF	ELM34604AA-N ELM34604AA-N P2804NVG
Untitled Abstract: No abstract text available Text: Complementary MOSFET ELM34604AA-N •General Description ■Features ELM34604AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V)	Original	PDF	ELM34604AA-N ELM34604AA-N P2804NVG
复合 Abstract: ELM34604AA Text: 复合沟道 MOSFET ELM34604AA-N •概要 ■特点 ELM34604AA-N 是低输入电容低工 N 沟道作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=40V P 沟道 ·Vds=-40V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5A ·Rds on < 28mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 65mΩ(Vgs=-10V)	Original	PDF	ELM34604AA-N P2804NVG AUG-19-2004 复合 ELM34604AA
Untitled Abstract: No abstract text available Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N •概要 ■特長 ELM34604AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル低電圧駆動、低オン抵抗という特・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。・ Id=7A	Original	PDF	ELM34604AA-N P2804NVG AUG-19-2004