V1000
Abstract: A1706-1 A170
Text: ESKA Art.No. 520.019 Strom Current Courant G-Sicherungseinsätze Fuse-links Fusible cartouches No. 520.000 5 x 20 mm flink quick-acting rapide Bemessungswerte/Ratings/Valeurs assignées Spannung Ausschaltvermögen Voltage Breaking capacity Tension Pouvoire de coupure
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DIN 41661
Abstract: 520.600 4A MA240
Text: ESKA Art.No. G-Sicherungseinsätze Fuse-links Fusible cartouches No. 520.600 Bemessungswerte/Ratings/Valeurs assignées Strom Spannung Ausschaltvermögen Current Voltage Breaking capacity Courant Tension Pouvoire de coupure 5 x 20 mm flink quick-acting rapide
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Original
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msmnm500
msmmmm100
msmmmm300
msmmmm400
DIN 41661
520.600 4A
MA240
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Adaptateur hôte Fibre Channel Guide d'installation rapide I N S E R T I O N D E L ' A D A P TAT E U R H Ô T E Étape 1 Reliez-vous à la terre avant de retirer la carte adaptateur hôte de son emballage. Étape 2 Éteignez l'ordinateur et débranchez les cordons
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TELECHARGER
Abstract: carte son cavalier DB11-000055-00-FR 320-2E scsi
Text: Guide d'installation matérielle rapide Contrôleur MegaRAID 320-2E SCSI LSI Logic En Europe, l'équipe technique de LSI Logic peut être contactée de la façon suivante : Support téléphonique : +44.1344.413.441 Angleterre ou +49.89.45833.338 (Allemagne)
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320-2E
320-2E
TELECHARGER
carte son
cavalier
DB11-000055-00-FR
scsi
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953472-1
Abstract: No abstract text available
Text: EMBASE 26 VOIES AVEC FIXATIONS RAPIDES SUR CI ET CONTACT DROITS 26 WAYS HEADERS WITH BOARD-LOCKS AND STRAIGHT CONTACT 1. BUT Spécification produit 108-15215 21 NOV O8 Rev. A 1. SCOPE Cette spécification définit les caractéristiques générales ainsi This specification covers the conditions of use, mechanical
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B217050
Abstract: porte-clips mqs 6 B21-7050
Text: Spécification produit 108-15329 EMBASE 6 VOIES MQS SORTIE DROITE A FIXATION RAPIDE ET A SOUDER SUR CARTE IMPRIMEE 28 AVR 04 REV. A Cette spécification définit les caractéristiques générales ainsi que les performances électriques et mécaniques des embases Tyco electronics 6 voies MQS sortie droite au pas de 2,54 mm à fixation rapide de type
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208-15544
Abstract: PBT 20 amp 953130-X
Text: Spécification produit EMBASES 12 VOIES AVEC SORTIES DROITES ET FIXATION RAPIDE A SOUDER SUR CARTE IMPRIMEE 108-15180-1 03 SEP 04 Rév. C Cette spécification définit les caractéristiques générales ainsi que les performances électriques et mécaniques
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: EMBASES 26 VOIES AVEC SORTIES DROITES ET FIXATION RAPIDE A SOUDER SUR Product specification CARTE IMPRIMEE 108-15181 26 WAY MQS STRAIGHT HEADER TO BE 12 Decembre 07 Rev. A SOLDERED ON PRINTED CIRCUIT BOARD Cette spécification définit les caractéristiques
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PAR/5500K
Abstract: No abstract text available
Text: Introduction MODELE MODE D’EMPLOI Installation XG-MB65X-L XG-MB55X-L XR-10X-L/XR-10S-L Mise en route rapide PROJECTEUR MULTIMÉDIA Raccordements Opération de base Fonctions pratiques Appendice REMARQUE IMPORTANTE • Pour vous aider à retrouver votre projecteur en cas de perte ou de vol,
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XG-MB65X-L
XG-MB55X-L
XR-10X-L/XR-10S-L
PAR/5500K
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BUX40
Abstract: transistor BUX 48 bux 40 sonde de temperature
Text: *BU X 40 N PN S IL IC O N T R A N S IS T O R , T R IP L E D IF F U S E D M E S A TR AN S IS TO R S IL IC IU M NPN, MESA T R IP L E D IF F U S E ^ P r e fe rr e d device D is p o s itif re c o m m a n d é High speed, high current, high pow er transistor T ransistor de puissance rapide, f o r t couran t
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BUX40
CB-19
view10
BUX40
transistor BUX 48
bux 40
sonde de temperature
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Thomson-CSF diodes
Abstract: REDRESSEMENT Thomson-CSF diodes de redressement D029 CB-126 Diodes de redressement
Text: fast recovery controlled avalanche rectifier diodes f\ diodes de redressement rapide à avalanche contrôlée thom son-csf Types •o Vrrm A (V) 200 mA / Tamb = 25°C M R 52 Z M R 62 Z 0,2 500 600 400 mA / Tamb = 25°C B Y X 57-500 B Y X 57-600 0,4 500 600
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CB-26)
10/xs
CB-126)
Thomson-CSF diodes
REDRESSEMENT
Thomson-CSF diodes de redressement
D029
CB-126
Diodes de redressement
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C 4977
Abstract: ON 4977 4977 2n4979 4978 25CC 2N4978 C12SS 2n 834
Text: 2N 4977 2N 4978 2N 4979 FIELD-EFFECT TRANSISTORS, SILICON. N CHANNEL TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP, SILIC IU M . C ANAL N • Fast switching Commutation rapide - Chopper Découpeur Case TO-18 50 mA 15 mA 7,5 mA min. min. min. 2N 4977 2N 4978 2N 4979 15 20 40
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4093 N
Abstract: 4093 4093 be 4091 d 4093 Vgsoff -6V 4092 40921 esm 4092 ESM4091
Text: *ESM 4091 *ESM 4092 *ESM 4093 FIELD-EFFECT TRANSISTORS, SILICON, N CHANNEL T R A N S IS T O R S A E F F E T D E C H AM P, S IL IC IU M , C A N A L N % Preferred device D isp o sitif recommandé Fast switching C o m m u ta tio n rapide Chopper 30 mA 15 mA 8 mA
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CB-76
4093 N
4093
4093 be
4091
d 4093
Vgsoff -6V
4092
40921
esm 4092
ESM4091
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UTC 7312
Abstract: BUX 88 S BUX11 bux THOMSON BUX 115 BUX11N TRANSISTOR -R7t
Text: *BUX 11N NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED TR AN S IS TO R S IL IC IU M NPN, T R IP L E D IF F U S E Preferred device D is p o s itif recommandé High speed, high current, high power transistor Transistor de puissance rapide, f o r t couran t 160 V
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CB-19
UTC 7312
BUX 88 S
BUX11
bux THOMSON
BUX 115
BUX11N
TRANSISTOR -R7t
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TCA 785
Abstract: transistor BUX 48 vu bux BUX41 sonde de temperature
Text: *BUX 41N NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR SILIC IU M NPN, TRIPLE DIFFUSE îfc Preferred device D isp o sitif recom m andé High speed, high current, high power transistor Transistor de puissance rapide, fo r t courant Thermal fatigue inspection
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CB-19
TCA 785
transistor BUX 48
vu bux
BUX41
sonde de temperature
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M771
Abstract: REDRESSEMENT f62m Thomson-CSF diodes Diodes de redressement DF 652
Text: y THOMSON-CSF fast recovery rectifier diodes > 100 A selector guide guide de sélection diodes de redressement rapide ^ 100 A VRRM V 200 I I I 500 I I I l I 1000 I I I I I 1500 I I I L 2000 Case 2500 I I I I I 100 « r F62m 120 F62m 150 DO 8 220 270 M 771
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BYW 200
Abstract: diodes byw 92 byw 150 diodes byw 08 200 Thomson-CSF diodes de redressement Diodes de redressement diodes byw CB-34 1250A2s 92200
Text: h ig h e ffic ie n c y f a s t r e c o v e r y r e c t if ie r d io d e s y THOMSON-CSF diodes de redressement rapide à haut rendement Types •o Vrrm >FSM 10 ms A <V ) (A) Tj = 150° C 35A / Tease = 110°C N N N BYV 92-200 (R) BYV 92-300 (R) BYV 92-400 (R)
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28UNF*
CB-34)
BYW 200
diodes byw 92
byw 150
diodes byw 08 200
Thomson-CSF diodes de redressement
Diodes de redressement
diodes byw
CB-34
1250A2s
92200
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2n5038
Abstract: C 5039 2N5039 2N5039-1 503B 20S2 N5038 2N5038-1 lc 112
Text: NPN SILICON TRANSISTORS E P IT A X IA L COLLECTOR 2 N 5038 TRANSISTORS S ILIC IU M NPN COLLECTEUR E P IT A X IE 2 1\] 5 Q 3 9 High current fast switching transistor \j 9075 VV Transistor de com m utation rapide fo r t courant High frequency applications as switching
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CB-19on
CB-19
2n5038
C 5039
2N5039
2N5039-1
503B
20S2
N5038
2N5038-1
lc 112
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2n706
Abstract: SCHEMA 2n 706
Text: 2N 706 NPN SILICON TRANSISTOR, PLANAR TRANSISTOR NPN SILIC IU M , PLANAR - Small signal amplification A m plifica tio n p etits signaux - Low current fast switching 25 V VCBO Commutation rapide faible courant ^21E mA h Maximum power dissipation Case TO-18
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BYX 13 400 R
Abstract: BY 218-400 byx 200 BY299S by 228 BYX92 GS43 1D013 10MSA Diodes de redressement
Text: fast recovery rectifier diodes < 100 A ^ diodes de redressement rapide < 100 A Types •o Vr r m ■f s m 10 ms Vf A (V) (A) (V) (A) 60 1,3 1 / lF max 1 A / Tamb = 40°C BYX92- 50 BYX 92-100 BYX 92-200 BYX 92-300 BYX 92-400 1A / BYX BYX BYX BYX BYX Tamb
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BYX92-
CB-37)
CB-317)
BY299S)
BYX 13 400 R
BY 218-400
byx 200
BY299S
by 228
BYX92
GS43
1D013
10MSA
Diodes de redressement
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BUX45
Abstract: transistor et 460
Text: * B U X 45 NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR SILIC IU M NPN, TRIPLE DIFFUSE ^Preferred device D isp o sitif recommandé High speed, high voltage, switching transistor Transistor de commutation , rapide , haute tension Thermal fatigue inspection
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CB-19
BUX45
transistor et 460
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BTW 600
Abstract: 28A700R 28A800R 28A-600
Text: fast switching thyristors for pulse operation ^ thyristors rapides pour fonctionnement en impulsions T a m b = 250C •o Types V d RM v RRM A (V) 35 Arms / Tcase = 75°C •r m *@ Vr r m v t m / *TM VGT »GT d i'd t • d m *@ 10 ms V d RM max max max max
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-28UNF"
BTW 600
28A700R
28A800R
28A-600
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TRANSISTOR BC 313
Abstract: npn 2222 transistor transistor 2n 2222 2907 TRANSISTOR PNP NPN 2904 BSW21 2n 2222 transistor bc 107 transistor BCY 107 2907 pnp transistor
Text: general purpose and fast switching transistor selector guide guide de sélection transistors usage général et commutation rapide ^ THOMSON-CSF 3 a r M ETAL-CASE/ BOITIER METAL Case TO 39 Polarity PIMP NPN ic PNP NPN 0,6.0,8 A <0,2 A vC EO ^ \^ PNP PNP
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BSX52
BSW21
BSW22
BSX51
BSW22
290AL-CASE/BOITIER
TRANSISTOR BC 313
npn 2222 transistor
transistor 2n 2222
2907 TRANSISTOR PNP
NPN 2904
2n 2222 transistor
bc 107 transistor
BCY 107
2907 pnp transistor
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canal
Abstract: 2N5432 2N5433 2N p channel 2N5434
Text: *2 N 5432 *2 N 5433 *2 N 5434 FIELD-EFFECT TRANSISTORS, SILICON. N CHANNEL TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP, SILICIUM. CANAL N % Preferred device D isp o sitif recommandé Fast switching Commutation rapide 150 mA min. 100 mA min. 30 mA min. Chopper Découpeur
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T0-18
canal
2N5432
2N5433
2N p channel
2N5434
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