Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs-Infrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Vorläufige Daten / Preliminary Data R 0.9 R 0.7 2.2 2.0 3.1 2.9 1.42 1.22 0.6 0.4 16.5 16.0 3.0 2.8 4.1 3.9 60˚ 1.3 1.1 1.04 0.84 0.9 0.7 0.5
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Original
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GEO06976
feo06976
3100F
OHFD00367
OHF00371
OHF00373
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fototransistor
Abstract: GEOY6976 OHLY0598 OHF00369 k 4110
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • Wellenlänge der Strahlung 950 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke
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Original
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05X45
Abstract: barcode reader k 4110 Q62702-P5072 fototransistor led transistor k 4110 GEO06976 OHFD00367 3100F
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs-Infrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Vorläufige Daten / Preliminary Data R 0.9 R 0.7 2.2 2.0 3.1 2.9 1.42 1.22 0.6 0.4 16.5 16.0 3.0 2.8 4.1 3.9 60˚ 1.3 1.1 1.04 0.84 0.9 0.7 0.5 0.3 0.84 0.64 1.04 17.77 0.84
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Original
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GEO06976
feo06976
3100F
OHFD00367
OHF00371
OHF00373
05X45
barcode reader
k 4110
Q62702-P5072
fototransistor led
transistor k 4110
GEO06976
OHFD00367
3100F
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GMOY6177
Abstract: "Infrared LED" 880 nm Pulsed Forward Current
Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 250 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 10 mil) F 0235F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • • • • • • • Features Chipgröße 250 x 250 µm Emissionswellenlänge: 950 nm
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0235F
GMOY6177
"Infrared LED" 880 nm Pulsed Forward Current
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GEOY6976
Abstract: OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • Wellenlänge der Strahlung 950 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke
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Original
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GEO06976
Abstract: Q62702-P5072
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Wesentliche Merkmale • Wellenlänge der Strahlung 950 nm • Enger Abstrahlwinkel • Hohe Strahlstärke • Geringe Außenabmessungen • Gehäusegleich mit Fototransistor SFH 3100 F
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Original
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OHF00373
GEO06976
GEO06976
Q62702-P5072
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-04-03 GaAs Infrared Emitter Mini Sidelooker GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) Version 1.0 SFH 4110 Features: Besondere Merkmale: • • • • • • Peak wavelength of 950 nm Narrow half angle High radiant intensity Small outline dimensions
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D-93055
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GMOY6076
Abstract: GaAs wafer dicing Chip free osram topled
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0235D Wesentliche Merkmale • • • • • • • • Features Chipgröße 250 x 250 µm Wellenlänge der Strahlung 950 nm GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen
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Original
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0235D
GMOY6076
GaAs wafer dicing Chip free
osram topled
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k 4110
Abstract: Q62702-P5072 GEOY6976
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • Wellenlänge der Strahlung 950 nm Enger Abstrahlwinkel Hohe Strahlstärke Geringe Außenabmessungen Gehäusegleich mit Fototransistor SFH 3100 F
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Original
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OPTOKOPPLER
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, 250 µm Kantenlänge GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, 10 mil) F 0235D Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 13 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 250 x 250 µm2
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Original
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0235D
OPTOKOPPLER
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Sem iconductors I GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs-lnfrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Vorläufige Daten / Preliminary Data Emitter/ geo06976 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified.
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geo06976
3100F
OHF00373
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