SCH2301
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2301 Ordering number : EN8974 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2301 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The SCH2301 incorporates two elements in the same package which are P-channel MOSFETs, thereby enabling
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Original
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SCH2301
EN8974
SCH2301
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VEC2815
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2815 Ordering number : ENA0559 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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VEC2815
ENA0559
A0559-6/6
VEC2815
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SCH2301
Abstract: TYP300V
Text: SCH2301 注文コード No. N 8 9 7 4 三洋半導体データシート N SCH2301 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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SCH2301
TYP300V)
900mm2
IT08166
IT08165
900mm2
IT08470
IT08471
SCH2301
TYP300V
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SCH2401
Abstract: 89754
Text: SCH2401 Ordering number : EN8975 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET SCH2401 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The SCH2401 incorporates two elements in the same package which are N-channel MOSFETs, thereby enabling
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Original
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SCH2401
EN8975
SCH2401
89754
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A0559
Abstract: VEC2815
Text: VEC2815 注文コード No. N A 0 5 5 9 三洋半導体データシート N VEC2815 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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VEC2815
900mm2
N2906PE
TC-00000344
A0559-1/6
IT09872
1000k
IT10608
A0559
VEC2815
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SCH2401
Abstract: TYP300V 89754
Text: SCH2401 注文コード No. N 8 9 7 5 三洋半導体データシート N SCH2401 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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SCH2401
TYP300V)
900mm2
350mA
350mA,
200mA,
900mm2
IT07521
IT08480
SCH2401
TYP300V
89754
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