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A1208 Abstract: RD1006LS Text: RD1006LS Ordering number : ENA1208 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.	Original	PDF	RD1006LS ENA1208 PW100s, cycle50% A1208-3/3 A1208 RD1006LS
Untitled Abstract: No abstract text available Text: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.	Original	PDF	RD1006LS-SB5 ENA1608 A1608-3/3
A1442 Abstract: A1442-3 A-1442 Text: RD1006LN 注文コード No. N A 1 4 4 2 三洋半導体データシート N RD1006LN シリコン拡散接合型低 VF・高速スイッチングダイオード特長・高耐圧である VRRM=600V 。・高信頼性である。・取り付け作業性放熱性が良い。	Original	PDF	RD1006LN 51309SA TC-00001965 A1442-1/3 IT13677 IT14509 IT13676 IT13678 A1442 A1442-3 A-1442
Untitled Abstract: No abstract text available Text: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.	Original	PDF	RD1006LS-SB5 ENA1608 A1608-3/3
A1608 Abstract: RD1006 Text: RD1006LS-SB5 注文コード No. N A 1 6 0 8 三洋半導体データシート N RD1006LS-SB5 シリコン拡散接合型超高速スイッチングダイオード特長・高耐圧である VRRM=600V 。・高信頼性である。・取り付け作業性放熱性が良い。	Original	PDF	RD1006LS-SB5 N1109SA TC-00002179 A1608-1/3 IT13677 IT14499 IT13676 IT13678 A1608-2/3 A1608 RD1006
A1208 Abstract: A12081 RD1006LS Text: RD1006LS 注文コード No. N A 1 2 0 8 三洋半導体データシート N RD1006LS シリコン拡散接合型超高速スイッチングダイオード特長・高耐圧である VRRM=600V 。・高信頼性である。・取り付け作業性放熱性が良い。	Original	PDF	RD1006LS 82708SA TC-00001550 A1208-1/3 IT13677 IT13679 IT13676 IT13678 A1208 A12081 RD1006LS
RD1006LS-SB Abstract: No abstract text available Text: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.	Original	PDF	RD1006LS-SB5 ENA1608 A1608-3/3 RD1006LS-SB
a1442 Abstract: RD1006 transistor a1442 Text: RD1006LN Ordering number : ENA1442 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.	Original	PDF	RD1006LN ENA1442 A1442-3/3 a1442 RD1006 transistor a1442