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A1270 Abstract: transistor A1270 RD2004 A1270 transistor datasheet RD2004LN A-1270 a1270* transistor Text: RD2004LN Ordering number : ENA1270A SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LN Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.	Original	PDF	RD2004LN ENA1270A A1270-3/3 A1270 transistor A1270 RD2004 A1270 transistor datasheet RD2004LN A-1270 a1270* transistor
RD2004 Abstract: No abstract text available Text: RD2004LS-SB5 Ordering number : ENA1612 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.	Original	PDF	RD2004LS-SB5 ENA1612 A1612-3/3 RD2004
A1270 Abstract: RD2004 A-1270 RD2004LN NA12 A1270-1 IT13033 N1809 Text: RD2004LN 注文コード No. NA12 70A 三洋半導体データシート半導体データシート No.NA1270 をさしかえてください。 RD2004LN シリコン拡散接合型超高速スイッチングダイオード特長・高耐圧である VRRM=400V 。	Original	PDF	RD2004LN NA1270 62797GI BX-0698 N1809 TC-00002181 73008SA TC-00001521 A1270-1/3 A1270 RD2004 A-1270 RD2004LN NA12 A1270-1 IT13033
RD2004 Abstract: A1486 RD2004JN RD200 Text: RD2004JN 注文コード No. N A 1 4 8 6 三洋半導体データシート N RD2004JN シリコン拡散接合型低 VF・高速スイッチングダイオード特長・高耐圧である VRRM=400V 。・高信頼性である。・逆回復時間が速い。	Original	PDF	RD2004JN 52709SA TC-00001979 A1486-1/3 IT13032 IT13318 IT13031 IT13033 RD2004 A1486 RD2004JN RD200
rd2004 Abstract: RD2004LS Text: RD2004LS Ordering number : ENA0968 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LS Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.	Original	PDF	RD2004LS ENA0968 A0968-3/3 rd2004 RD2004LS
rd2004 Abstract: A1612 rd2004ls RD2004LS-SB5 Text: RD2004LS-SB5 注文コード No. N A 1 6 1 2 三洋半導体データシート N RD2004LS-SB5 シリコン拡散接合型超高速スイッチングダイオード特長・高耐圧である VRRM=400V 。・高信頼性である。・1 点止めフルモールドパッケージで取り付け作業性、放熱性が良い。	Original	PDF	RD2004LS-SB5 N1809SA TC-00002182 A1612-1/3 IT13032 IT13318 IT13031 IT13033 rd2004 A1612 rd2004ls RD2004LS-SB5
RD2004 Abstract: RD2004LS Text: RD2004LS 注文コード No. N A 0 9 6 8 三洋半導体データシート N RD2004LS シリコン拡散接合型超高速スイッチングダイオード特長・高耐圧である VRRM=400V 。・高信頼性である。・1 点止めフルモールドパッケージで取り付け作業性、放熱性が良い。	Original	PDF	RD2004LS 62797GI BX-0698 22708SA TC-00001159 A0968-1/3 IT13032 IT13318 RD2004 RD2004LS
RD2004 Abstract: A1486 RD2004JN Text: RD2004JN Ordering number : ENA1486 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004JN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. Fast forward / reverse recovery time.	Original	PDF	RD2004JN ENA1486 A1486-3/3 RD2004 A1486 RD2004JN
transistor A1270 Abstract: A1270 A1270 transistor datasheet RD2004LN RD2004 a1270* transistor Text: RD2004LN Ordering number : ENA1270 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004LN Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • High breakdown voltage VRRM=400V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.	Original	PDF	RD2004LN ENA1270 A1270-3/3 transistor A1270 A1270 A1270 transistor datasheet RD2004LN RD2004 a1270* transistor
RD2004 Abstract: RD2004JS-SB ENA1895 TC-00002483 A1895 Text: RD2004JS-SB Ordering number : ENA1895 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD2004JS-SB Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • VF=1.5V max. IF=20A VRRM=400V trr=20ns (typ.) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C	Original	PDF	ENA1895 RD2004JS-SB PW100s, A1895-3/3 RD2004 RD2004JS-SB ENA1895 TC-00002483 A1895