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    CPH5810

    Abstract: MCH3312
    Text: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5810 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）


    Original     		PDF CPH5810 MCH3312 SBS001 600mm2 12805PE TA-100105 IT09167 IT09166 CPH5810 MCH3312

    ENN8206

    Abstract: CPH5810 MCH3312
    Text: CPH5810 Ordering number : ENN8206 CPH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS001)


    Original     		PDF CPH5810 ENN8206 MCH3312) SBS001) ENN8206 CPH5810 MCH3312

    CPH5810

    Abstract: MCH3312
    Text: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 三洋半導体データシート N CPH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）


    Original     		PDF CPH5810 MCH3312 SBS001 600mm2 12805PE TA-100105 IT09167 IT09166 CPH5810 MCH3312