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    VEC2609

    Abstract: No abstract text available
    Text: VEC2609 注文コード No. N A 0 1 0 3 三洋半導体データシート N VEC2609 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した


    Original
    PDF VEC2609 900mm2 700mA 700mA, 400mA, 900mm2 IT03302 VEC2609

    MCH3319

    Abstract: VEC2305
    Text: VEC2305 Ordering number : ENN7718 VEC2305 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • For load switches, DC / DC converters. 1.8V drive. Composite type with 2 P-Channel MOSFETs MCH3319 contained in a singlepackage, facilitaing high-density


    Original
    PDF VEC2305 ENN7718 MCH3319) 900mm2 MCH3319 VEC2305

    VEC2609

    Abstract: INVERTER BOARD SANYO
    Text: VEC2609 Ordering number : ENA0103 VEC2609 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2609 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,


    Original
    PDF VEC2609 ENA0103 VEC2609 A0103-6/6 INVERTER BOARD SANYO

    MCH3319

    Abstract: VEC2305 IT06899
    Text: VEC2305 注文コード No. N 7 7 1 8 三洋半導体データシート N VEC2305 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ロードスイッチDC / DC コンバータ用。 ・1.8V 駆動。


    Original
    PDF VEC2305 MCH3319) 900mm2 IT06901 --10A 900mm2 IT06903 MCH3319 VEC2305 IT06899