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Untitled Abstract: No abstract text available Text: Ordering number : ENN7647 VEC2301 P-Channel Silicon MOSFET VEC2301 General-Purpose Switching Device Applications Preliminary • • unit : mm 2227 [VEC2301] Bottom View Top View 0.3 8 0.25 2.8 • Best suited for load switches. Low ON-resistance. 2.5V drive.	Original	PDF	ENN7647 VEC2301 VEC2301]
VEC2819 Abstract: No abstract text available Text: VEC2819 Ordering number : ENA0536A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2819 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package	Original	PDF	VEC2819 ENA0536A A0536-6/6 VEC2819
A1045 Abstract: No abstract text available Text: VEC2905 注文コード No. N A 1 0 4 5 三洋半導体データシート N VEC2905 PNP エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス	Original	PDF	VEC2905 900mm2 20608PE TC-00001176 A1045-1/6 IT06424 --12A A1045
transistor A1045 Abstract: FET MARKING QG tr fet 1A tr fet 2A RL66 Text: VEC2905 Ordering number : ENA1045 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2905 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • Composite type, facilitatiing high-density mounting. Mounting height 0.75mm.	Original	PDF	VEC2905 ENA1045 A1045-6/6 transistor A1045 FET MARKING QG tr fet 1A tr fet 2A RL66
VEC2819 Abstract: No abstract text available Text: VEC2819 Ordering number : ENA0536 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2819 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package	Original	PDF	VEC2819 ENA0536 A0536-6/6 VEC2819
A01042 Abstract: VEC2610 a0104 A0104-5 3am10 Text: VEC2610 注文コード No. N A 0 1 0 4 三洋半導体データシート N VEC2610 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した	Original	PDF	VEC2610 900mm2 IT08609 IT08607 900mm2 IT10216 IT10217 A01042 VEC2610 a0104 A0104-5 3am10
VEC2610 Abstract: INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5 Text: VEC2610 Ordering number : ENA0104 VEC2610 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2610 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,	Original	PDF	VEC2610 ENA0104 VEC2610 A0104-6/6 INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5
VEC2301 Abstract: No abstract text available Text: 注文コード No. N 7 6 4 7 VEC2301 三洋半導体データシート N VEC2301 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス・ロードスイッチング用途に最適・低オン抵抗。	Original	PDF	VEC2301 900mm2 --10V IT06418 900mm2 IT06425 VEC2301
VEC2819 Abstract: A0536 Text: VEC2819 注文コード No. N A 0 5 3 6 A 三洋半導体データシート半導体データシート No.NA0536 をさしかえてください。 VEC2819 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード	Original	PDF	VEC2819 NA0536 1200mm2 /13107PE TC-00000472 A0536-1/6 IT08589 IT08588 VEC2819 A0536