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Untitled Abstract: No abstract text available Text: Ordering number : ENN7472 SBS010M Schottky Barrier Diode SBS010M 15V, 2A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305A [SBS010M] 0.15 2 1 0.65 0.07 1.6 3 0.25 • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.32V)	Original	PDF	ENN7472 SBS010M SBS010M]
N7472 Abstract: SBS010M Text: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体データシート半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子用途・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。	Original	PDF	SBS010M N7472 100mA, 600mm2 TB-00001016 TA-100516 IT05881 IT05882 IT08545 N7472 SBS010M
CPH5835 Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに	Original	PDF	CPH5835 MCH3309) SBS010M) 600mm2 12805PE TB-00001006 IT05882 IT05881 CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
82074 Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに	Original	PDF	CPH5835 MCH3309) SBS010M) 600mm2 12805PE TB-00001006 IT05882 IT05881 82074 CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
SBS010M Abstract: No abstract text available Text: SBS010M Ordering number : ENN7472A SBS010M Schottky Barrier Diode 15V, 2A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.32V) (IF=1.0A, VF max=0.35V).	Original	PDF	SBS010M ENN7472A SBS010M
N7472 Abstract: SBS010M Text: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体ニューズ半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子用途・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。	Original	PDF	SBS010M N7472 100mA, 600mm2 TB-00001016 TA-100516 IT05881 IT05882 IT08545 N7472 SBS010M
CPH3309 Abstract: CPH5835 MCH5835 SBS010M Text: CPH5835 Ordering number : ENN8207 CPH5835 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET CPH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained	Original	PDF	CPH5835 ENN8207 CPH3309) SBS010M) CPH3309 CPH5835 MCH5835 SBS010M