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D2011A Abstract: FTD2011A N7476 Text: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A No. N7476 22004 新 FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタロード S / W 用・低オン抵抗。・2.5V 駆動。・実装高 1.1mm。・複合タイプであり高密度実装可能。	Original	PDF	FTD2011A N7476 1300mm2 1300mm2 IT05439 IT05131 IT05440 D2011A FTD2011A N7476
O1002 Abstract: IT05136 IT05130 MCH6408 N7286 Text: 注文コード No. N 7 2 8 6 MCH6408 No. N7286 O1002 新 MCH6408 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ超高速スイッチング用・低オン抵抗。・超高速スイッチング。・2.5V 駆動。絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃	Original	PDF	MCH6408 N7286 O1002 900mm2 900mm2 IT05135 IT05136 O1002 IT05136 IT05130 MCH6408 N7286
d2011a Abstract: 7476 d2011a datasheet FTD2011A Text: Ordering number : ENN7476 FTD2011A N-Channel Silicon MOSFET FTD2011A Load Switching Applications • • • • Package Dimensions Low ON-resistance. 2.5V drive. Mounting height 1.1mm. Composite type, facilitating high-density mounting. unit : mm 2155A [FTD2011A]	Original	PDF	ENN7476 FTD2011A FTD2011A] d2011a 7476 d2011a datasheet FTD2011A
MCH6408 Abstract: O1002 Text: Ordering number : ENN7286 MCH6408 N-Channel Silicon MOSFET MCH6408 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2193A [MCH6408] 0.25 • Package Dimensions 0.3 5 6 3 2 0.65 1 0.15 1.6	Original	PDF	ENN7286 MCH6408 MCH6408] MCH6408 O1002
D2011A Abstract: IT05130 1300mm2 FTD2011A IT05133 Text: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A 三洋半導体データシート N FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタロード S / W 用・低オン抵抗。・2.5V 駆動。・実装高 1.1mm。・複合タイプであり高密度実装可能。	Original	PDF	FTD2011A 1300mm2 1300mm2 IT05439 IT05131 IT05440 D2011A IT05130 FTD2011A IT05133