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    SBS007M

    Abstract: 69082
    Text: 注文コード No. N 6 9 0 8 SBS007M No. N6908 21001 新 SBS007M ショットキバリアダイオード 15V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい


    Original
    PDF SBS007M N6908 100mA, 600mm2 Duty10% IT02954 IT02953 IT02955 IT02956 SBS007M 69082

    7447

    Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
    Text: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171


    Original
    PDF ENN7447 CPH5818 MCH3339) SBS007M) CPH5818] 7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M

    TA-3843

    Abstract: SBS007M CPH5818 MCH3339 N7447
    Text: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード


    Original
    PDF CPH5818 N7447 MCH3339 SBS007M 600mm2 IT02953 IT05891 IT02955 IT02956 TA-3843 SBS007M CPH5818 MCH3339 N7447

    SBS007M

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : ENN6908 SBS007M Schottky Barrier Diode SBS007M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 [SBS007M] 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)


    Original
    PDF ENN6908 SBS007M SBS007M] SBS007M

    TA-3843

    Abstract: MOSFET MCH33 N7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M TA384
    Text: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 No. N 7 4 4 7 A 91003 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード


    Original
    PDF CPH5818 N7447 MCH3339 SBS007M 600mm2 IT02953 IT05891 IT02955 IT02956 TA-3843 MOSFET MCH33 N7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M TA384

    7447

    Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
    Text: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171


    Original
    PDF ENN7447 CPH5818 MCH3339) SBS007M) CPH5818] 7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M

    MCH3408

    Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104 IT03105
    Text: Ordering number : ENN6942 MCH5804 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3408 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195


    Original
    PDF ENN6942 MCH5804 MCH3408) SBS007M) MCH5804] MCH3408 MCH5804 SBS007M IT03104 IT03105

    MCH3408

    Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104
    Text: 注文コード No. N 6 9 4 2 MCH5804 No. N 6 9 4 2 52101 新 MCH5804 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ(MCH3408)とショットキバリアダイオード


    Original
    PDF MCH5804 MCH3408 SBS007M 600mm2 IT02953 IT03107 IT02955 IT02956 MCH3408 MCH5804 SBS007M IT03104