SBS804
Abstract: ENN6595 SBS004
Text: Ordering number : ENN6595 SBS804 Schottky Barrier Diode SBS804 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1294 [SBS804] • 0.6 2.8 0.05 2 0.95 0.4 0.7 4 0.15 3
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Original
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ENN6595
SBS804
SBS804]
SBS804
SBS004.
ENN6595
SBS004
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2SJ560
Abstract: CPH6801 SBS004 TA2492
Text: Ordering number:EN6419 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH6801 DC/DC Converter Applications Package Dimensions unit:mm 2172 [CPH6801] 5 4 0.6 6 0.2 0.15 2.9 2.8 0.05 0.6 • The CPH6801 consists of a P-channel MOSFET that features low ON resistance, ultrahigh-speed switching, and low-voltage drive, and a shottky barrier
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Original
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EN6419
CPH6801
CPH6801]
CPH6801
2SJ560
SBS004,
SBS004
TA2492
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SBS004
Abstract: 62722
Text: Ordering number:ENN6272 Schottky Barrier Diode SBS004 15V, 1A Rectifier Applications Package Dimensions • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit:mm 1293 [SBS004] 2.9 · Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V) (IF=1.0A, VF max=0.4V).
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Original
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ENN6272
SBS004
SBS004]
SBS004applied
SBS004
62722
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MCH3307
Abstract: SBS004 ENN8235 2171A
Text: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)
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Original
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CPH5838
ENN8235
MCH3307)
SBS004)
MCH3307
SBS004
ENN8235
2171A
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77704
Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004 77705 77701
Text: CPH5808 注文コード No. N 7 7 7 0 三洋半導体データシート N CPH5808 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
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Original
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CPH5808
MCH3409)
SBS004
600mm2
TA-100106
IT00624
IT00623
IT00622
77704
CPH5808
MCH3409
77705
77701
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CPH5821
Abstract: MCH3312 SBS004
Text: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 三洋半導体データシート N CPH5821 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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CPH5821
MCH3312)
SBS004
600mm2
TA-100874
IT00622
IT00623
CPH5821
MCH3312
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CPH5811
Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
Text: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH5811
ENN8234
MCH3406)
SBS004)
CPH5811
MCH3406
SBS004
2171A
marking QM
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SBS004
Abstract: SBS804
Text: 注文コード No. N 6 5 9 5 SBS804 No. N 6 5 9 5 63000 新 SBS804 ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい IF=0.5A, VF max=0.35V (IF=1.0A, VF max=0.4V)。
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Original
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SBS804
SBS004
IT00623
IT00622
IT00624
IT00625
IT00626
SBS004
SBS804
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CPH5807
Abstract: MCH3309 SBS004
Text: CPH5807 Ordering number : EN7751B CPH5807 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in
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Original
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CPH5807
EN7751B
MCH3309)
SBS004)
CPH5807
MCH3309
SBS004
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CPH5802
Abstract: MCH3306 SBS004
Text: Ordering number : ENN6899 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5802 DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 0.6 5 0.05 2.8 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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ENN6899
CPH5802
CPH5802]
MCH3306)
SBS004)
CPH5802
MCH3306
SBS004
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6899 CPH5802 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 2.8 0.6 5 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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ENN6899
CPH5802
CPH5802]
MCH3306)
SBS004)
CPH5802/D
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CPH6801
Abstract: 2SJ560 SBS004 IT00783 TA2492
Text: 注文コード No. N 6 4 1 9 CPH6801 No. N 6 4 1 9 N1999 新 CPH6801 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間
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Original
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CPH6801
N1999
CPH6801
2SJ560
SBS004
600mm2
IT00624
IT00789
IT00625
2SJ560
SBS004
IT00783
TA2492
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MCH3406
Abstract: SBS004 CPH5811 2171A 4863s
Text: CPH5811 注文コード No. N 8 2 3 4 三洋半導体データシート N CPH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3406 とショットキバリアダイオード(SBS004)を 1 パッケージに
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Original
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CPH5811
MCH3406)
SBS004)
600mm2
22805PE
TB-00001212
IT00624
IT00623
MCH3406
SBS004
CPH5811
2171A
4863s
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CPH5807
Abstract: MCH3309 SBS004
Text: CPH5807 Ordering number : ENN7751 CPH5807 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in
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Original
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PDF
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CPH5807
ENN7751
MCH3309)
SBS004)
CPH5807
MCH3309
SBS004
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CPH5808
Abstract: MCH3409 SBS004 77705
Text: CPH5808 Ordering number : ENN7770 CPH5808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3409 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained
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Original
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CPH5808
ENN7770
MCH3409)
SBS004)
CPH5808
MCH3409
SBS004
77705
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2171a
Abstract: MCH3307 SBS004 CPH5838
Text: CPH5838 注文コード No. N 8 2 3 5 三洋半導体データシート N CPH5838 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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CPH5838
MCH3307
SBS004
600mm2
22805PE
TB-00001210
IT00624
IT00623
2171a
MCH3307
CPH5838
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TA-3048
Abstract: CPH5802 MCH3306 SBS004
Text: 注文コード No. N 6 8 9 9 CPH5802 No. N 6 8 9 9 12201 新 CPH5802 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
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Original
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PDF
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CPH5802
MCH3306
SBS004
SBD12
600mm2
IT00623
IT00622
IT00624
IT00625
TA-3048
CPH5802
MCH3306
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CPH5807
Abstract: D2005 MCH3309 SBS004
Text: CPH5807 注文コード No. N 7 7 5 1 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7751A とさしかえてください。 CPH5807 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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CPH5807
N7751A
MCH3309)
SBS004
600mm2
D2005
TB-00001994
D1504PE
TA-100107
CPH5807
MCH3309
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77014
Abstract: CPH5821 MCH3312 SBS004
Text: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5821 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
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Original
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PDF
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CPH5821
MCH3312)
SBS004
600mm2
TA-100874
IT00622
IT00623
77014
CPH5821
MCH3312
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62722
Abstract: SBS004 TA-2121
Text: 注文コード No. N 6 2 7 2 SBS004 No. 6 2 7 2 三洋半導体ニューズ 62599 新 SBS004 ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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PDF
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SBS004
100mA,
600mm2
Duty10%
IT00624
IT00623
IT00622
IT00625
IT00626
62722
SBS004
TA-2121
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marking QJ
Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004
Text: CPH5808 Ordering number : ENN7770 CPH5808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3409 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained
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Original
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PDF
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CPH5808
ENN7770
MCH3409)
SBS004)
marking QJ
CPH5808
MCH3409
SBS004
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