BF1100, Search Results
BF1100, Price and Stock
Abracon Corporation AK7DBF1-100.0000T2XTAL OSC XO 100MHZ 2.5V LVDS |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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AK7DBF1-100.0000T2 | Cut Tape | 528 | 1 |
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AK7DBF1-100.0000T2 | 167 |
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AK7DBF1-100.0000T2 | Reel | 10 Weeks | 250 |
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NXP Semiconductors BF1100,215RF MOSFET 9V SOT143B |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BF1100,215 | Reel |
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NXP Semiconductors BF1100R,215RF MOSFET 9V SOT143R |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BF1100R,215 | Reel |
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BF1100R,215 | 3,000 | 1,916 |
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BF1100R,215 | 3,000 | 1 |
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Abracon Corporation AK7DBF1-100.0000XTAL OSC XO 100MHZ 2.5V LVDS |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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AK7DBF1-100.0000 | Bulk |
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Abracon Corporation AX3PBF1-100.0000XTAL OSC XO 100MHZ 2.5V LVPECL |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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AX3PBF1-100.0000 | 250 |
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AX3PBF1-100.0000 | Bulk | 41 Weeks, 3 Days | 1 |
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AX3PBF1-100.0000 |
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AX3PBF1-100.0000 | Bulk | 249 | 1 |
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AX3PBF1-100.0000 | 250 |
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AX3PBF1-100.0000 | 500 |
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BF1100, Datasheets (21)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BF1100 |
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BF1100 - Dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100 |
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Dual-Gate MOS-FET | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100 |
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Dual-gate MOS-FETs | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100,215 |
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Dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS; Package: SOT143B (SOT4); Container: Tape reel smd | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100A | Seiko Epson | Surface Mount Crystal Oscillators | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100R |
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BF1100R - Dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100R |
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Dual-Gate MOS-FET | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100R |
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Dual-gate MOS-FETs | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100R,215 |
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Dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS; Package: SOT143R (SC-61B); Container: Tape reel smd | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100R,235 |
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Dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS; Package: SOT143R (SC-61B); Container: Tape reel smd | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100RT/R |
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Dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100RTR |
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Dual-gate MOS-FET | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100T/R |
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Dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100TR |
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Dual-gate MOS-FET | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BF1100WR |
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BF1100WR - Dual-gate MOS-FET - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100WR |
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Dual-Gate MOS-FET | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100WR |
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Dual-gate MOS-FET | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100WR,115 |
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Dual-gate MOS-FET - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS; Package: SOT343R (CMPAK-4); Container: Tape reel smd | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100WR,115 |
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BF1100 - TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MICRO MINIATURE, PLASTIC, SMD, CMPAK-4, FET RF Small Signal | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1100WRT/R |
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Dual-gate MOS-FET - CIS TYP: 2.2 pF; COS: 1.4 pF; ID: 30 mA; IDSS: 8 to 13 mA; IDSS min.: 1.4 mA; Noise figure: 2@800MHz dB; Note: Partly internal bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 1 V; VDSmax: 14 V; YFS min.: 24 mS | Original |