GEX06971
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P Vorläufige Daten / Preliminary Data 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 1.8 1.2 3.85 3.35 Area not flat 0.6 0.4 Chip position Approx. weight 0.5 g fex06306 GEX06971
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Original
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fex06306
GEX06971
OHF00330
GEX06971
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)
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Original
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GEX06971
GEX06630
OHF00328
OHF00329
OHF00330
OHF00441
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80 ESP 12
Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 Q62703-Q7891 OHF00329 transistor sr 61
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)
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fex06971
GEX06971
feo06652
GEX06630
OHF00328
OHF00329
OHF00330
OHF00441
80 ESP 12
GEX06630
GEX06971
Q62702-P5054
Q62703-Q7891
OHF00329
transistor sr 61
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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GEX06971
GEX06630
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transistor 495
Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 OHF00328 SFH495P
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale Features • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen
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GEX06971
GEX06630
transistor 495
GEX06630
GEX06971
Q62702-P5054
OHF00328
SFH495P
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transistor 495
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 5.9 5.5 0.6 0.4 GEX06971 Area not flat 5-9. 5.5 'M p ' 0.6 0.4 Cathode Diode GEX06630 Collector (Transistor) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GEX06971
GEX06630
transistor 495
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SFH495P
Abstract: No abstract text available
Text: SFH 495P SIEMENS GaAIAs Infrared Emitter Dimensions in inches mm Surface not flat Chip Position .024 (0.6) .018 (0.4) ~l .03 9(1.0 ) .02 0(0.5 ) .100 l - 2 0 1 (5.1) 5 189 (4.8) (2.54) j .031 (0.8) •Q71(1.8) .047(1.2) .050 (Ö.4) .15 2(3.8 5) -.132(3.35)
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GEX06971
SFH495P
SFH495P
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