BF998. Search Results
BF998. Price and Stock
NXP Semiconductors BF998,235RF MOSFET 8V SOT143B |
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BF998,235 | Reel |
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NXP Semiconductors BF998,215RF MOSFET 8V SOT143B |
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BF998,215 | Cut Tape |
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BF998,215 | Cut Tape | 3,000 |
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BF998,215 | 299 |
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NXP Semiconductors BF998R,235RF MOSFET 8V SOT143R |
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BF998R,235 | Reel |
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NXP Semiconductors BF998R,215RF MOSFET 8V SOT143R |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BF998R,215 | Reel |
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BF998R,215 | Cut Tape | 3,000 |
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BF998R,215 | 258 |
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NXP Semiconductors BF998WR,115RF MOSFET 8V CMPAK-4 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BF998WR,115 | Reel |
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BF998. Datasheets (80)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BF998 |
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Single Non Biased; Package: PG-SOT143-4; ID (max): 30.0 mA; Ptot (max): 200.0 mW; gfs (typ): 24.0 mS; Gp (typ): 20.0 dB; F (typ): 1.8 dB; | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 |
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Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 |
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Silicon N-Channel MOSFET Tetrode in SOT-143 package. For low noise, gain controlled input stages up to 1GHz. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF 998 |
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TRANS MOSFET N-CH 12V 0.03A 4SOT-143 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 |
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BF998 - Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.1 pF; COS: 1.05 pF; ID: 30 mA; IDSS: 2 to 18 mA; IDSS min.: 1.05 mA; Noise figure: 1@800MHz dB; Note: With external bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 2 V; VDSmax: 12 V; YFS min.: 21 mS | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 |
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Silicon N-Channel MOSFET Tetrode | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 |
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Silicon N-Channel Dual Gate MOS-FET | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 | Siemens | Cross Reference Guide 1998 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 | Siemens | RF-Transistors, MMICs, RF-Diodes, AF-Diodes, AF-Schottky Diodes and RF-Schottky Diodes Guide | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 | Siemens | Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz) | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 | Vishay Telefunken | N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 | Vishay Telefunken | TRANS MOSFET N-CH 12V 0.03A 4SOT-143 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 | Unknown | Shortform Datasheet & Cross References Data | Short Form | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 | Unknown | Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Short Form | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BF998 | Unknown | Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) | Short Form | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 | Unknown | Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) | Short Form | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 |
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Silicon n-channel dual gate MOS-FET | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998 |
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Silicon N-Channel Dual Gate MOS-FET | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998,215 |
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BF998 - TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-4, FET RF Small Signal | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF998,215 |
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Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs - CIS TYP: 2.1 pF; COS: 1.05 pF; ID: 30 mA; IDSS: 2 to 18 mA; IDSS min.: 1.05 mA; Noise figure: 1@800MHz dB; Note: With external bias ; Remarks: VHF and UHF ; -V(P)GS MAX: 2 V; VDSmax: 12 V; YFS min.: 21 mS; Package: SOT143R (SC-61B); Container: Tape reel smd | Original |