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    W507

    Abstract: FW507 MCH3312 SB1003M
    Text: FW507 注文コード No. N 8 4 0 3 三洋半導体データシート N FW507 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチング、低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間が短く、


    Original     		PDF FW507 FW507 MCH3312 SB1003M 3000mm2 81205PA TB-00001717 IT08184 W507 MCH3312 SB1003M

    TA 8403 A

    Abstract: w507 FW507 MCH3312 SB1003M
    Text: FW507 Ordering number : ENN8403 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode FW507 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Composite type with a low ON-resistance, ultrahigh-speed switching, low voltage drive, P-channel MOSFET and


    Original     		PDF FW507 ENN8403 FW507 MCH3312 SB1003M TA 8403 A w507