2N6052* Search Results
2N6052* Price and Stock
Microchip Technology Inc JANTX2N6052TRANS PNP DARL 100V 12A TO204AA |
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JANTX2N6052 | Bulk | 15 | 1 |
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JANTX2N6052 | Bulk | 36 Weeks | 100 |
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JANTX2N6052 | Bulk | 100 |
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JANTX2N6052 | 36 Weeks |
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JANTX2N6052 | Tray | 4 |
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JANTX2N6052 | 38 Weeks | 100 |
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JANTX2N6052 | 37 Weeks | 100 |
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Microchip Technology Inc 2N6052PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP |
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2N6052 | Bulk | 100 |
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2N6052 | Bulk | 36 Weeks | 100 |
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2N6052 | Bulk | 100 |
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2N6052 | 36 Weeks |
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2N6052 | Tray | 6 |
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2N6052 | 37 Weeks | 100 |
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onsemi 2N6052TRANS PNP DARL 100V 12A TO204 |
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2N6052 | 4 |
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onsemi 2N6052GTRANS PNP DARL 100V 12A TO204 |
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2N6052G | Bulk | 1 |
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2N6052G | 17 | 1 |
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2N6052G | 13 |
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Microchip Technology Inc JAN2N6052TRANS PNP DARL 100V 12A TO3 |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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JAN2N6052 | Bulk | 100 |
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JAN2N6052 | Bulk | 36 Weeks | 100 |
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JAN2N6052 | Bulk | 100 |
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JAN2N6052 | 36 Weeks |
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JAN2N6052 | Tray | 6 |
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JAN2N6052 |
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2N6052* Datasheets (57)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Transistors (BJT) - Single, Discrete Semiconductor Products, TRANS DARL PNP 100V 12A TO-3 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6052 | Comset Semiconductors | Power Complementary Silicon Transistors - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750-12k / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TRANS DARLINGTON PNP 100V 12A 3TO-3 - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750-12k / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Darlington Complementary Silicon Power Transistor - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750-12k / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6052 - TRANSISTOR 12 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, BIP General Purpose Power | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Darlington Complementary Silicon Power Transistors | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Darlington Complementary Silicon Power Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Bipolar PNP Device in a Hermetically Sealed TO3 Metal Package - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750-12k / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6052 | Advanced Semiconductor | Silicon Transistor Selection Guide | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6052 | Boca Semiconductor | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON-POWER TRANSISTORS - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750-12k / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Darlington Bipolar Transistor, PNP, 100V at Tc=25C, TO-3, 2-Pin - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750-12k / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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POWER DARLINGTON TRANSISTORS (METAL) | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6052 | Crimson Semiconductor | EPITAXIAL BASE / PLANAR Transistors | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Full Line Condensed Catalogue 1977 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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12A P-N-P monolithic darlington power transistor. - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750-12k / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6052 | LAMBDA | Semiconductor Data Book V1 1988 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6052 | Mospec | POWER TRANSISTORS(12A,150W) - Pol=PNP / Pkg=TO3 / Vceo=100 / Ic=12 / Hfe=750-12k / fT(Hz)=4M / Pwr(W)=150 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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The European Selection Data Book 1976 | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Power Transistor Selection Guide | Scan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Motorola Semiconductor Data & Cross Reference Book | Scan |