2N3019SJ Search Results
2N3019SJ Price and Stock
Semicoa Semiconductors 2N3019SJANTX/GROUPADATATransistor GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 - Bulk (Alt: JANTX2N3019S/GROUP) |
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2N3019SJANTX/GROUPADATA | Bulk | 22 Weeks | 1 |
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Microchip Technology Inc 2N3019SJANTX/GROUPADATATransistor GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 - Bulk (Alt: 2N3019SJANTX/GROUP) |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N3019SJANTX/GROUPADATA | Bulk | 1 |
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Microchip Technology Inc 2N3019SJANTX/TRTransistor GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 T/R - Tape and Reel (Alt: JANTX2N3019S/TR) |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N3019SJANTX/TR | Reel | 100 |
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Microchip Technology Inc 2N3019SJANTXV/TRTransistor GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 T/R - Tape and Reel (Alt: JANTXV2N3019S/TR) |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N3019SJANTXV/TR | Reel | 100 |
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Motorola Semiconductor Products 2N3019SJANTX |
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Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2N3019SJANTX | 40 |
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2N3019SJANTX | 1,076 |
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2N3019SJ Datasheets (15)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Curated | Datasheet Type | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N3019SJ | Semico | Package = TO-39 Level = Jans Vceo (V) = 80 Vcbo (V) = 140 Vebo (V) = 7.0 Ic (A) = 1.00 Power (W) ta = 0.8 Rtja (C/W) = 175 Tstg/top (C) = -65 to +200 Hfe = 300 VCE(sat) (V) = 0.20 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJAN |
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Bipolar Transistor, NPN Silicon Small Signal Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJAN | New England Semiconductor | BJT: NPN: Small Signal Transistor: IC 1A | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJAN | New England Semiconductor | LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJANS |
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Bipolar Transistor, NPN Silicon Small Signal Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJANS | New England Semiconductor | LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJANTX | New England Semiconductor | LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJANTXV | New England Semiconductor | LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJS | Semico | Package = TO-39 Level = Jans Vceo (V) = 80 Vcbo (V) = 140 Vebo (V) = 7.0 Ic (A) = 1.00 Power (W) ta = 0.8 Rtja (C/W) = 175 Tstg/top (C) = -65 to +200 Hfe = 300 VCE(sat) (V) = 0.20 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJTX |
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Bipolar Transistor, NPN Silicon Small Signal Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJTX | New England Semiconductor | BJT: NPN: Small Signal Transistor: IC 1A | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJTXV |
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Bipolar Transistor, NPN Silicon Small Signal Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJTXV | New England Semiconductor | BJT: NPN: Low Power Transistor: IC 1A | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3019SJV | Semico | Silicon NPN Transistor - Package = TO-39 Level = Jans Vceo (V) = 80 Vcbo (V) = 140 Vebo (V) = 7.0 Ic (A) = 1.00 Power (W) ta = 0.8 Rtja (C/W) = 175 Tstg/top (C) = -65 to +200 Hfe = 300 VCE(sat) (V) = 0.20 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N3019SJX | Semico | Silicon NPN Transistor - Package = TO-39 Level = Jans Vceo (V) = 80 Vcbo (V) = 140 Vebo (V) = 7.0 Ic (A) = 1.00 Power (W) ta = 0.8 Rtja (C/W) = 175 Tstg/top (C) = -65 to +200 Hfe = 300 VCE(sat) (V) = 0.20 | Original |
2N3019SJ Datasheets Context Search
Catalog Datasheet | MFG & Type | Document Tags | |
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Untitled
Abstract: No abstract text available
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Original |
2N3019S MIL-PRF-19500 2N3019SJ) 2N3019SJX) 2N3019SJV) 2N3019SJS) MIL-STD-750 MIL-PRF-19500/391 | |
2N3019S
Abstract: 2N3019SJ 2N3019SJS 2N3019SJV 2N3019SJX
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Original |
2N3019S MIL-PRF-19500 2N3019SJ) 2N3019SJX) 2N3019SJV) 2N3019SJS) MIL-STD-750 MIL-PRF-19500/391 2N3019S 2N3019SJ 2N3019SJS 2N3019SJV 2N3019SJX | |
motorola g18
Abstract: 2N301 2N3700 Y14W 2N3019S 2N3019SJAN 2N3019S MOTOROLA MERET 2N3700 MOTOROLA motorola 2N3019S
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Original |
2N3019SJANID 2N3019SJAN, 2N3700dAN, MlL4-19500/391 2N3019S T0205AD 1PHX24101 motorola g18 2N301 2N3700 Y14W 2N3019S 2N3019SJAN 2N3019S MOTOROLA MERET 2N3700 MOTOROLA motorola 2N3019S | |
Untitled
Abstract: No abstract text available
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2N3019SJAN, 2N3057AJAN, 2N3700JAN, MIL-S-19500 1177ii 3019S 2N30S7A 2N3700 | |
2N3019
Abstract: No abstract text available
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2N3019S 2N3057A 2N3700. 1177y 2N3700 2N3019S, 2N3057A, 2N3700 2N3019 |